IPD65R420CFDAATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD65R420CFDAATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.02 |
10+ | $2.713 |
100+ | $2.2232 |
500+ | $1.8925 |
1000+ | $1.5961 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 345µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83.3W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD65R420 |
IPD65R420CFDAATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD65R420CFDAATMA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
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MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
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2024/04/11
2023/12/20
2024/01/31
2024/07/4
IPD65R420CFDAATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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